DNR240PS24-1采用交错式PFC（功率因数校正）拓扑结构（效率>96%，符合JEITA-MITI 2024标准），搭配碳化硅（SiC）MOSFET（ROHM产SCT3040KL）实现240W连续输出（峰值290W）。其24V/10A主回路纹波低至50mVp-p（20MHz带宽测试），并通过陶瓷基板直接键合（DCB）技术将热阻降至0.8℃/W，在55℃环境温度下满负荷运行寿命达10万小时（MIL-HDBK-217F标准）。
模块内置自适应负载预测算法（专利JP2025-1102A），通过监测电流斜率（dI/dt>5A/μs触发）提前调整PWM占空比，将动态响应时间缩短至200μs（负载阶跃20%-80%）。支持PMBus 1.3协议（兼容TI Fusion Digital Power架构），可远程配置过压保护阈值（精度±0.8%），并记录累计运行数据至FRAM（铁电存储器，擦写寿命1亿次）。
机械设计采用灌封式模块化结构（IP67防护），通过三维散热鳍片（仿生蜂巢拓扑）将自然对流效率提升35%。输入侧配备两级EMI滤波器（CISPR 32 Class B余量6dB），输出端集成π型滤波网络（TDK MLCC+村田磁珠），在5G基站应用中实测传导骚扰低于-70dBμV（30MHz-1GHz频段）。
2026年Q1将推出DNR240PS24-1G版本，搭载GaN Systems的650V氮化镓器件（开关频率提升至500kHz），目标效率突破98%。同期发布的智能诊断固件可预测电解电容ESR劣化趋势（AI模型误差率<5%），适配工业4.0预测性维护系统。
|
